韓國晶片生產巨擘SK海力士於4月3日宣布，將斥資38.7億美元在美國印第安納州建立高頻寬記憶體（HBM）生產基地，並計劃於2028年下半年開始量產，以加速AI晶片技術的發展，同時強化全球供應鏈。
這項計畫將位於印第安納州西拉法葉市，與普渡大學合作進行尖端研發活動。這被視為半導體製造商在美國設置的首個AI晶片先進封裝工廠，標誌著SK海力士在全球晶片產業中的積極擴張及其對美國市場的重視。
當天，SK海力士在普渡大學舉辦了投資簽約儀式，印第安納州政府官員以及美國聯邦政府官員均出席了活動。此舉也體現出韓國在美中晶片戰事中的積極策略和尋求平衡的姿態。
在美國政府對華半導體設備出口提出新的限制要求的同時，SK海力士的此步舉動對於韓國來說具有戰略意義。韓國正努力在維護與美國的同盟關係和其最大貿易伙伴中國之間找到權衡點。應美國之請，韓國考慮在一定程度上配合新的出口管制政策，同時也担心這可能引發北京的報復性措施。
SK海力士作為全球記憶體市場的領頭羊，其市佔率持續領先，該公司已對外提供了第四代和最新的第五代HBM技術。該公司也積極應對中國競爭者的迅猛追趕，力圖保守技術領先優勢。
此外，為了更好地應對日益嚴峻的全球晶片競爭，南韓總統尹錫悅前不久召開半導體國家戰略會議，強調了韓國政府將與美國等盟國合作，支持國內晶片產業發展的決心。
SK海力士的在美新投資將得到美國政府根據《晶片與科學法》規定的補貼支持，該法案旨在提升美國在半導體製造和研發方面的全球競爭力。這一舉措被看作是在全球晶片產業中，韓美工業合作的典範，預期將促進技術交流，刺激當地經濟發展，並加強美國在關鍵科技領域的自立能力。
