荷蘭半導體製造設備領導品牌ASML最新推出其第三代標準型極紫外光（EUV）微影設備——Twinscan NXE:3800E，該機型備有先進的0.33數值孔徑透鏡，相較於先前的Twinscan NXE:3600D型號，在性能上取得了質的飛越，為未來3奈米至2奈米晶片製造的技術需求提供了強有力的支援。
ASML的此次技術突破，讓Twinscan NXE:3800E在處理速度和準確度兩大關鍵指標上均顯著提升。據悉，這款EUV光刻機能在一小時內處理高達195片晶圓，較先前的NXE:3600D型號每小時160片的產能提高了約22%，未來甚至有望達到每小時220片的生產力。與此同時，該設備在晶圓對齊技術上也實現了精度至小於1.1奈米的突破。
該設備不僅能優化4/5奈米晶片的生產流程，進一步提升製造效率和降低成本，對於2奈米等更先進節點的晶片製造更是至關重要，尤其在後續可能需要的雙重曝光技術上，更高的對齊精度將提供巨大助益，對於3奈米以下製程節點將有顯著優勢。
目前市面上的低數值孔徑EUV光刻機售價一般為1.83億美元，相較之下，新一代高數值孔徑EUV光刻機如ASML預定報價3.8億美元的TWINSCAN EXE:5200而言，價格顯得更為實惠。根據業內預測，ASML可能在2026年推出下一代的低數值孔徑EUV光刻機——Twinscan NXE:4000F，該設備預計將與新開發的高數值孔徑技術方案併行，推進半導體製造技術向更高精度邁進。
